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參數(shù)資料
| 型號： | PD55008 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | PD55008 |
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PD55008 - PD55008S
Capacitance vs. Drain Voltage
0
5
10
15
20
25
VDD, DRAIN VOLTAGE (V)
1
10
100
1000
C
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
Drain Current vs. Gate Voltage
1
2
3
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V )
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
V
DS
=10V
Gate-Source vs. Case Temperature
-25
0
25
50
75
100
Tc, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0.92
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
V
I
D
=
.25A
I
D
=.5A
I
D
=1A
I
D
=2A
I
D
=1.5A
V
DS
=10V
TYPICAL PERFORMANCE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD55008S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015-PD55015S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57002 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD55008-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER TRANS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55008-E_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| PD55008L | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55008L-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55008S | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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