- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369949 > PCG3N60C3W TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PCG3N60C3W |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | PCG3N60C3W |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
PCG3N60C3W Rev. B
PRELIMINARY
January 2002
PCG3N60C3W
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
Features
6A, 600V at T
C
= 25
o
C
600V Switching SOA Capability
Formerly developmental type TA49113.
Symbol
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
74
mils x
98
mils x 14 mils
WAFER DIAMETER:
5in with Standard Flat
PASSIVATION:
Nitride Thickness: 17k
±
1.5k
FRONTSIDE METALLIZATION:
Type: Al
Metallization Mask Layout
PCG3N60C3W
C
E
G
Electrical Specifications
T
C
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Collector to Emitter Breakdown Voltage
BV
CES
I
C
V
= 250
μ
A, V
GE
= 0V
600
-
-
V
Collector to Emitter Leakage Current
I
CES
CE
= I
GE
= 250
CE
= V
=
= BV
CES
,
T
C
= 25
o
C
-
-
250
μ
A
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
I
V
C
C110
= 15V
T
C
= 25
o
C
-
1.65
2.0
V
Gate to Emitter Threshold Voltage
V
GE(TH)
I
V
C
μ
GE
25V
A,
T
C
= 25
o
C
3.0
5.5
6.0
V
Gate to Emitter Leakage Current
I
GES
V
GE
±
-
-
±
250
nA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PCG4AX280MM | FUEHRUNGSSCHIENE LEITERPLATTE 280MM |
| PCH-1415FN | CLIP PIPE 15MM |
| PCH-2528FN | CLIP PIPE 28MM |
| PCH-3335FN | CLIP PIPE 35MM |
| PCH-4244FN | CLIP PIPE 44MM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PCG-3-SL13.75 | 制造商:Richco 功能描述: |
| PCG-3-SL13.875 | 制造商:RICHCO 功能描述:PCG-3 SPECIAL, CUT TO 13.875 |
| PCG-4-48 | 功能描述:CIRC GUIDE PRINTED GRAY 4' RoHS:是 類別:盒，外殼，支架 >> 卡導軌 系列:- 標準包裝:1,000 系列:HCG 附件類型:尼龍，卡入式安裝，3.500"（88.90mm） 適用于相關產品:1/16"（1.6mm）厚 PC 板 |
| PCG-48-B | 制造商:Mencom 功能描述: |
| PCG-4A | 制造商:Richco 功能描述:GUIDE RAIL PCB 280MM STRIP 制造商:Richco 功能描述:GUIDE RAIL, PCB, 280MM STRIP |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。