參數(shù)資料
型號： PBSS5350SA
英文描述： 50 V low VCEsat PNP transistor
中文描述： 50伏低飽和壓降PNP型晶體管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： PBSS5350SA
2002 Oct 22
2
Philips Semiconductors
Objective specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350SA
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
and
corresponding R
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High collector current gain h
FE
Less heat generation leading to higher efficiency.
APPLICATIONS
Low and medium power DC/DC convertors
Low voltage regulation (LDO)
MOSFET drivers
Supply line switching
Battery chargers.
DESCRIPTION
PNP low V
CEsat
transistor in a SOT54 plastic package.
NPN complement: PBSS4350SA.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS5350SA
5350SA
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
collector
base
emitter
handbook, halfpage
1
3
2
MAM280
1
2
3
Fig.1
Simplified outline (SOT54) and symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
50
2
3
UNIT
V
CEO
I
C
I
CRP
collector-emitter voltage
collector current (DC)
repetitive peak collector
current
equivalent on-resistance
V
A
A
R
CEsat
135
m
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PDF描述
PBSS5350S 50 V low VCEsat PNP transistor
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PBW1CL Assemblies
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參數(shù)描述
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