參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS4350SA
英文描述： 50 V low VCEsat NPN transistor
中文描述： 50伏低飽和壓降NPN型晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： PBSS4350SA
2003 Jan 30
2
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High collector current gain (h
FE
) at high I
C
High efficiency leading to reduced heat generation
Reduced printed-circuit board area requirements.
APPLICATIONS
Power management:
– DC-DC converter
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD back lighting.
Peripheral driver:
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs)
– Inductive load drivers (e.g. relay, buzzers and
motors).
DESCRIPTION
NPN transistor providing low V
CEsat
and high current
capability in a SOT666 plastic package.
PNP complement: PBSS5240V.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
collector
collector
base
emitter
collector
collector
handbook, halfpage
1
2
3
4
6
5
Top view
3
1, 2, 5, 6
4
MAM444
Fig.1 Simplified outline (SOT666) and symbol.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS4240V
42
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
I
CRP
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
40
2
2
<190
V
A
A
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS4350T TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
PBSS4350X 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBTAMFR95BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK50C BRAID SLEEVING 50M
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBSS4350SPN 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4350SPN T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350SPN,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350SPN115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PBSS4350SS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
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