參數資料
型號： PBSS4240T
英文描述： 40 V low VCEsat NPN transistor
中文描述： 40伏低飽和壓降NPN型晶體管
文件頁數： 4/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： PBSS4240T
2003 Jan 30
4
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
300
300
200
75
150
TYP.
50
70
150
300
150
MAX.
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
= 40 V; I
E
= 0
V
CB
= 40 V; I
E
= 0; T
amb
= 150
°
C
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 500 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V; I
C
= 2 A; note 1
I
C
= 100 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; note 1
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; note 1
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; note 1
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
100
50
100
100
900
75
100
190
400
<190
1.2
1.1
nA
μ
A
nA
nA
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
mV
mV
m
V
V
MHz
R
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
C
c
collector capacitance
10
pF
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PDF描述
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