參數(shù)資料
型號： PBRP113ZT,215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： PBRP113ZT,215
PBRP113ZT_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 January 2008
7 of 12
NXP Semiconductors
PBRP113ZT
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k
, R2 = 10 k
VCE = 5V
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 40 °C
IC/IB =20
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 40 °C
Fig 5.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
IC/IB =50
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 40 °C
IC/IB = 100
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 40 °C
Fig 7.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aab079
102
10
103
hFE
1
IC (mA)
101
103
102
1
10
(1)
(2)
(3)
006aab080
IC (mA)
1
103
102
10
101
VCEsat
(V)
102
(1)
(2)
(3)
006aab081
IC (mA)
1
103
102
10
101
1
VCEsat
(V)
102
(1)
(2)
(3)
006aab082
IC (mA)
1
103
102
10
101
1
VCEsat
(V)
102
(1)
(2)
(3)
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PDF描述
PBRP123ET,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRP123YT,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRV-16.0HRY-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 16 MHz
PBRV-FREQ2HRZ-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 8.01 MHz - 20 MHz
PBRV-20.0HRY-TOL2 CERAMIC RESONATOR, 20 MHz
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參數(shù)描述
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PBRP123ET 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNPW/RES40V0.8ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23
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PBRP123ET,215 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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