參數(shù)資料
型號(hào): PBR941B
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 10V的五(巴西)總裁| 50mA的一(c)|至236
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代理商: PBR941B
2001 Jan 18
5
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF wideband transistor
PBR941B
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
Ts (
°
C)
200
300
100
0
200
150
MDA871
Fig.2
Power derating as a function of soldering
point temperature.
handbook, halfpage
0
IC (mA)
10
50
120
40
0
70
20
30
40
MCD974
hFE
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 6 V.
handbook, halfpage
(pF)
0
4
12
0
0.4
MGS498
8
0.3
0.2
0.1
VCB (V)
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= I
c
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(GHz)
0
50
0
2
4
6
8
10
20
30
40
IC (mA)
MCD975
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 6 V; f
m
= 1 GHz; T
amb
= 25
°
C.
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