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參數資料
| 型號： | PBMB50E6 |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 259K |
| 代理商： | PBMB50E6 |
QS043-402-（2/5）
00
日本インター株式會社
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｈ Ｂｒｉｄｇｅ
５０ Ａ，６００Ｖ
ＰＢＭＢ５０Ｅ６
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図
：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ
Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
コレクタ·エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ
ＣＥＳ
６００
Ｖ
ゲ ー ト·エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ
ＧＥＳ
±２０
Ｖ
ＤＣ
Ｉ
Ｃ
５０
コ レ
ク タ 電
流
Ｃollector Ｃurrent
１ｍｓ
Ｉ
ＣＰ
１００
Ａ
コ レ
ク タ 損
失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
Ｐ
Ｃ
２５０
Ｗ
接
合
溫
度
Ｊunction
Ｔemperature
Ｒange
Ｔ
ｊ
－４０～＋１５０
℃
保
存
溫
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔ
ｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｖ
ＩＳＯ
２,５００
Ｖ
（ＲＭＳ）
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting
Ｔorque
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｆ
ｔｏｒ
２
（２０.４）
Ｎ·ｍ
(kgfcm)
□ 電 気 的 特 性
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
コ レ
ク タ 遮
斷 電
流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
Ｉ
ＣＥＳ
Ｖ
ＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V
－
１.０
ｍＡ
ゲ ー
ト 漏 れ
電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
１.０
μＡ
コレクタ·エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
Ｖ
ＣＥ（ｓａｔ）
Ｉ
Ｃ= 50A,ＶＧＥ= 15V
－
２.１
２.６
Ｖ
ゲ ー
ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
Ｖ
ＧＥ（ｔｈ）
Ｖ
ＣＥ= 5V,ＩＣ= 50mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃ
ｉｅｓ
Ｖ
ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
2,500
－
ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise
Ｔime
ｔ
ｒ
－
０.１５
０.３０
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
ｔ
ｏｎ
－
０.２５
０.４０
下 降 時 間 Ｆall
Ｔime
ｔ
ｆ
－
０.１０
０.３５
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
ｔ
ｏｆｆ
Ｖ
ＣＣ=
300V
Ｒ
Ｌ=
6.0Ω
Ｒ
Ｇ=
20.0Ω
Ｖ
ＧＥ= ±15V
－
０.３５
０.７０
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ
Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
ＤＣ
Ｉ
Ｆ
５０
Ａ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
１ｍｓ
Ｉ
ＦＭ
１００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
Ｖ
Ｆ
Ｉ
Ｆ= 50A,ＶＧＥ= 0V
－
１.９
２.４
Ｖ
逆 回
復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
ｔ
ｒｒ
Ｉ
Ｆ= 50A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 100A/μs
－
０.１５
０.２５
μｓ
□ 熱
的
特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ
－
０.５０
熱
抵
抗
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｒth(j-c)
Junction to Case
（Tc測定點チップ直下）
－
1.１０
℃／Ｗ
15.5
5
5 13
12-fasten tab
#110
18
44
33
24
94
83
U
V
W
G1
G2
G3
G5
G6
G4
E1
E3
E5
E4
E6
E2
5-fasten tab
#250
2- 5.5
18
33.75
32
8
21
6
LABEL
G1
E1
G3
E3
G2
E2
G4
E4
UV
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBRC4.00HR50Y0AB | CERAMIC RESONATOR, 4 MHz |
| PBRCFREQAR | CERAMIC RESONATOR, 2 MHz - 8 MHz |
| PBRV16.00HR-Z | CERAMIC RESONATOR |
| PC00A-18-11PX(SR) | 11 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, MALE, CIRCULAR CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
| PC00E-18-11PW(SR) | 11 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, MALE, CIRCULAR CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBMB75A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 75A 600V |
| PBMB75B12 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 75A 1200V |
| PBMB75E6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT Module-H Bridge 75A, 600V |
| PBMBM | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:METAL HOLDER |
| PBMBN | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:Holder, Plastic 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:NUT HOLDER |
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