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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBMB50B12C |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE H-Bridge 50A 1200V |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | PBMB50B12C |
PBMB50B12C
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
V)
C
Fig.1- Output Characteristics Typical)
T
C
=25
℃
10V
9V
12V
15V
V
GE
=20V
8V
7V
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
V)
C
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage Typical)
T
C
=25
℃
50A
I
C
=25A
100A
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
V)
C
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage Typical)
I
C
=25A
50A
100A
T
C
=125
℃
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
50
100
150
200
250
300
350
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Total Gate Charge Qg nC)
C
G
G
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage Typical)
V
CE
=600V
400V
200V
R
L
=12
Ω
T
C
=25
℃
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
20000
Collector to Emitter Voltage V
CE
V)
C
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage Typical)
Cies
Coes
Cres
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25
℃
0
10
20
30
40
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Collector Current I
C
A)
S
μ
s
Fig6- Collector Current vs Switching Time
(Typical)
t
OFF
t
f
t
r
t
ON
V
CC
=600V
R
G
=20
Ω
V
GE
=
±
15V
T
C
=25
℃
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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