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參數(shù)資料
| 型號： | PBMB50B12 |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Photointerruptors PHOTOINTERRUPTER ULTRA MIN; HIGH RES |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | PBMB50B12 |
PBMB50B12
5
10
20
50
100
200
300
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance R
G
Ω
)
S
μ
s
Fig7- Series Gate Impedance vs Switching Time Typical)
V
CC
=600V
I
C
=50A
V
GE
=
±
15V
T
C
=25
℃
tf
tr
ton
toff
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Forward Voltage V
F
V)
F
Fig8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T
C
=25
℃
T
C
=125
℃
0
400
800
1200
1600
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
Collector to Emitter Voltage V
CE
V)
C
Fig10- Reverse Bias Safe Operating Area Typical)
R
G
=20
Ω
V
GE
=
±
15V
T
C
≦
125
℃
0
50
100
150
200
250
300
1
2
5
10
20
50
100
200
500
-di/dt A/
μ
s)
P
R
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
I
RrM
trr
I
F
=50A
T
C
=25
℃
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
2x10
-3
5x10
-3
10
-2
2x10
-2
5x10
-2
10
2x10
-1
5x10
-1
1
2
5
Time t
（
s
）
T
(
C
fig11-Tansient Thermal Impedance
Tc=25
℃
1 Shot
IGBT
FRD
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBMB75A6 | IGBT MODULE H-Bridge 75A 600V |
| PBMB75B12 | IGBT MODULE H-Bridge 75A 1200V |
| PC10012 | DIODE MODULE 100A/1200 to 1600V |
| PC10016 | DIODE MODULE 100A/1200 to 1600V |
| PC1008 | DIODE MODULE 100A/800V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBMB50B12C | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 50A 1200V |
| PBMB50E6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT Module-H Bridge 50A, 600V |
| PBMB75A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 75A 600V |
| PBMB75B12 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 75A 1200V |
| PBMB75E6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT Module-H Bridge 75A, 600V |
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