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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBMB50A6 |
| 廠(chǎng)商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE H_Bridge 50A 600V |
| 中文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | PBMB50A6 |
PBMB50A6
2
5
10
20
50
100
200
500
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
Series Gate Impedance R
G
Ω
)
S
μ
s
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time Typical)
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
G
=
±
15V
T
C
=25
℃
tf
tr
ton
toff
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Forward Voltage V
F
V)
F
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T
C
=25
℃
T
C
=125
℃
0
100
200
300
400
2
5
10
20
50
100
200
500
-di/dt A/
μ
s)
P
R
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics Typical)
I
RrM
trr
I
F
=50A
T
C
=25
℃
0
200
400
600
800
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
Collector to Emitter Voltage V
CE
V)
C
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area Typical)
R
G
=15
Ω
V
GE
=
±
15V
T
C
≦
125
℃
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
1x10
-3
2x10
-3
5x10
-3
1x10
-2
2x10
-2
5x10
-2
1x10
-1
2x10
-1
5x10
-1
1
2
Time t s)
T
(
℃
/
Fig.11- Transient Thermal Impedance
T
C
=25
℃
1 Shot Pulse
FRD
IGBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PBMB50B12C | 制造商:NIEC 制造商全稱(chēng):Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 50A 1200V |
| PBMB50E6 | 制造商:NIEC 制造商全稱(chēng):Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT Module-H Bridge 50A, 600V |
| PBMB75A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱(chēng):Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 75A 600V |
| PBMB75B12 | 制造商:NIEC 制造商全稱(chēng):Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 75A 1200V |
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