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參數(shù)資料
| 型號： | PBMB200A6 |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE H-Bridge 200A 600V |
| 中文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | PBMB200A6 |
PBMB200A6
1
10
100
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
Series Gate Impedance R
G
Ω
)
S
μ
s
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
V
CC
=300V
I
C
=200A
V
G
=
±
15V
T
C
=25
℃
tf
tr
ton
toff
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Forward Voltage V
F
V)
F
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T
C
=25
℃
T
C
=125
℃
0
200
400
600
800
1000
1200
5
10
20
50
100
200
500
-di/dt A/
μ
s)
P
R
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics Typical)
I
RrM
trr
I
F
=200A
T
C
=25
℃
0
200
400
600
800
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Collector to Emitter Voltage V
CE
V)
C
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area Typical)
R
G
=3.6
Ω
V
GE
=
±
15V
T
C
≦
125
℃
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
1x10
-3
2x10
-3
5x10
-3
1x10
-2
2x10
-2
5x10
-2
1x10
-1
2x10
-1
5x10
-1
Time t s)
T
(
℃
/
Fig.11- Transient Thermal Impedance
T
C
=25
℃
1 Shot Pulse
FRD
IGBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBMB300A6 | Photointerruptors 0.25mm slit width 0.18mA min 0.7V |
| PBMB50A6 | IGBT MODULE H_Bridge 50A 600V |
| PBMB50B12C | IGBT MODULE H-Bridge 50A 1200V |
| PBMB50B12 | Photointerruptors PHOTOINTERRUPTER ULTRA MIN; HIGH RES |
| PBMB75A6 | IGBT MODULE H-Bridge 75A 600V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBMB200B12 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:Full Bridge IGBT Module 200A/1200V |
| PBMB200E6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:Full Bridge IGBT Module 200A/600V |
| PBMB300A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 300A 600V |
| PBMB50A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H_Bridge 50A 600V |
| PBMB50B12 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 50A 1200V |
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