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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBF208 |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | 晶閘管 |
| 英文描述： | THYRISTOR MODULE |
| 中文描述： | 31.4 A, 800 V, SCR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | PBF208 |
Electrical
Thermal Characteristics
Maximum Value.
Min.
Typ.
0.25
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Max.
5
5
1.63
100
50
25
4
2.5
2
Unit
Peak Off-State Current
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
I
DM
I
RM
V
TM
V
DM
= V
DRM,
Tj= 125
°
C
V
RM
= V
RRM,
Tj= 125
°
C
I
TM
= 30A, Tj=25
°
C
mA
mA
V
Tj=-40
°
C
Tj=25
°
C
Tj=125
°
C
Tj=-40
°
C
Tj=25
°
C
Tj=125
°
C
Gate Current to Trigger
I
GT
V
D
=6V,I
T
=1A
mA
Gate Voltage to Trigger
V
GT
V
D
=6V,I
T
=1A
V
Gate Non-Trigger Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage
V
GD
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
V
dv/dt V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
100
V/
μ
s
Turn-Off Time
tq
I
TM
=I
O
,V
D
=2/3V
DRM
dv/dt=20V/
μ
s, V
R
=100V
-di/dt=20A/
μ
s, Tj=125
°
C
80
μ
s
Turn-On Time
Delay Time
Rise Time
Latching Current
Holding Current
tgt
td
tr
I
L
I
H
6
2
4
70
50
μ
s
μ
s
μ
s
mA
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
I
G
=100mA, di
G
/dt=0.2A/
μ
s
Tj=25
°
C
Tj=25
°
C
Rth(j-c) J unction to Case
Rth(c-f)Base Plate to Heat Sink
with Thermal Compound
1.1
Thermal Resistance *1
0.1
°
C/W
Value Per 1Arm
*1:Value Per Module
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBH203 | THYRISTOR MODULE |
| PBH206 | THYRISTOR MODULE |
| PBH208 | THYRISTOR MODULE |
| PBH308AC | THYRISTOR MODULE |
| PBMB100A6 | IGBT MODULE H-Bridge 100A 600V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBF259 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:High Voltage Transistors |
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| PBF26UM2X1 | 制造商:Banner Engineering 功能描述:Plastic Fiber Diffuse Reflective, Core Dia.: 0.5 mm, Fiber Length 2 m, Ferrule, |
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