型號(hào): | P6SMBJ510AP |
廠商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | SMBJ, 2 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大小: | 1442K |
代理商: | P6SMBJ510AP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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P6SMBJ220CAP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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P6SMBJ510C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 434Vso 485Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
P6SMBJ510CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 434Vso 485Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
P6SMBJ51A | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 43.6Vso 48.5Vbr 8.6A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
P6SMBJ51C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 38.1Vso 42.3Vbr 8.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
P6SMBJ51CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 40.2Vso 44.7Vbr 9.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |