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參數(shù)資料
| 型號： | P4C198L-25DMB |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| 中文描述： | 16K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, CDIP24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, CERDIP-24 |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | P4C198L-25DMB |
P4C198/198L, P4C198A/198AL
Page 4 of 13
Document #
SRAM113
REV A
Sym.
Parameter
Unit
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
Min Max Min
Max
Min Max Min
Max Min Max Min
Max Min
Max
t
RC
t
AA
Read Cycle Time
10
12
15
20
25
35
45
ns
Address Access
Time
10
12
15
20
25
35
45
ns
t
AC
Chip Enable
Access Time
10
12
15
20
25
35
45
ns
t
OH
Output Hold from
Address Change
2
2
2
2
2
2
2
ns
t
LZ
Chip Enable to
Output in Low Z
2
2
2
2
2
2
2
ns
t
HZ
Chip Disable to
Output in High Z
6
7
8
10
10
14
15
ns
t
OE
Output Enable
Low to Data Valid
6
7
9
12
15
25
30
ns
t
OLZ
Output Enable to
Output in Low Z
2
2
2
2
2
2
2
ns
t
OHZ
Output Disable to
Output in High Z
6
7
9
9
10
14
15
ns
t
PU
Chip Enable to
Power Up Time
0
0
0
0
0
0
0
ns
t
PD
Chip Disable to
Power Down Time
10
12
15
20
25
35
45
ns
AC CHARACTERISTICS—READ CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
READ CYCLE NO.1 (
OE
controlled)
(5)
Notes:
5.
WE
is HIGH for READ cycle.
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