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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C198L-15LMB |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| 中文描述： | 16K X 4 STANDARD SRAM, 15 ns, CQCC28 |
| 封裝： | 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/13頁(yè) |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | P4C198L-15LMB |
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P4C198/198L, P4C198A/198AL
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Document #
SRAM113
REV A
READ CYCLE NO. 2 (ADDRESS Controlled)
(5,6)
READ CYCLE NO. 3 (
CE
(12)
Controlled)
(5,7,8)
10. Read Cycle Time is measured from the last valid address
to the first transitioning address.
11. Transitions caused by a chip enable control have similar
delays irrespective of whether
CE
1
or
CE
2
causes them
(P4C198A/L).
12.
CE
1
,
CE
2
for P4C198A/L.
Notes:
6.
CE
(
CE
CE
for P4C198A/L) and
OE
are LOW READ cycle.
7.
OE
is LOW for the cycle.
8. ADDRESS must be valid prior to, or coincident with
CE
(
CE
1
and
CE
for P4C198A/L) transition LOW.
9. Transition is measured ± 200mV from steady state voltage
prior to change, with loading as specified in Figure 1.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C198L-15PMB | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198L-20CMB | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198L-20DMB | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198L-20JMB | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198L-20LMB | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C214-13PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-17PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-20PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25GR52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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