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參數(shù)資料
| 型號： | P4C1256-35FCLF |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDFP28 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, FP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 7/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | P4C1256-35FCLF |
P4C1256
Page 7 of 17
Document #
SRAM119
REV G
Notes:
10.
CE
and WE must be LOW for WRITE cycle.
11.
OE
is LOW for this WRITE cycle to show t
and t
.
12. If
CE
goes HIGH simultaneously with
WE
HIGH, the output remains
in a high impedance state
13. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
transitioning address.
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 2 (
CE
CONTROLLED)
(10)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| P4C1256-35FILF | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
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| P4C1256-35JILF | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| P4C1256-35JCLF | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
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