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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C1256-35CMLF |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/17頁(yè) |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | P4C1256-35CMLF |
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P4C1256
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Document #
SRAM119
REV G
-35
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Sym.
t
WC
t
CW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
Parameter
Write Cycle Time
Chip Enable
Time to End of
Write
Address Valid to
End of Write
Address Set-up
Time
Write Pulse
Width
Address Hold
Time
Data Valid to
End of Write
Date Hold Time
Min Max Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
-20
-25
-45
-55
-70
-12
-15
Unit
12
0
0
9
0
8
15
11
0
20
15
0
25
0
18
0
35
0
22
0
45
0
25
0
55
0
30
0
70
0
35
0
9
10
0
9
15
0
11
18
20
0
13
22
25
0
15
30
35
0
20
35
40
0
25
40
45
0
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AW
9
10
15
0
0
Write Enable to
Output in High Z
Output Active
from End of Write
7
8
10
11
15
18
25
30
ns
t
OW
3
3
3
3
5
5
0
0
ns
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 1 (
WE
CONTROLLED)
(10,11)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C1256-35DCLF | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35DILF | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35DMBLF | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35DMLF | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35FCLF | HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C1256-35DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35DCLF | 制造商:PYRAMID 制造商全稱(chēng):Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35DILF | 制造商:PYRAMID 制造商全稱(chēng):Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35DM | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1256-35DMB | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
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