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參數資料
| 型號： | P4C116L-20FSMB |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | ULTRA HIGH SPEED 2K x 8 STATIC CMOS RAMS |
| 中文描述： | 2K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDFP24 |
| 封裝： | FP-24 |
| 文件頁數： | 5/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | P4C116L-20FSMB |
P4C116/P4C116L
Page 5 of 14
Document #
SRAM110
REV A
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 1 (
WE
CONTROLLED)
(10,11)
Notes:
10.
CE
and
WE
must be LOW for WRITE cycle.
11.
OE
is LOW for this WRITE cycle to show t
and t
.
12. If
CE
goes HIGH simultaneously with
WE
HIGH, the output remains
in a high impedance state
13. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
transitioning address.
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
Sym.
Parameter
Write Cycle Time
Chip Enable Time to End of Write
Address Valid to End of Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Address Hold Time
Data Valid to End of Write
Data Hold Time
Write Enable to Output in High Z
Output Active from End of Write
–10
–12
–15
–20
–25
–35
Unit
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
15
12
12
0
12
0
10
0
0
8
20
15
15
0
15
0
12
0
0
10
25
18
18
0
18
0
15
0
0
15
35
25
25
0
20
0
20
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 2 (
CE
CONTROLLED)
(10)
10
8
8
0
8
0
7
0
0
6
12
10
10
0
10
0
8
0
0
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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