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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C1049-25L36C |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDSO36 |
| 封裝： | 0.452 X 0.920 INCH, CERAMIC, LCC-36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 222K |
| 代理商： | P4C1049-25L36C |
P4C1049
Page 7 of 12
Document #
SRAM128
REV OR
Notes:
10.
CE
and WE must be LOW for WRITE cycle.
11.
OE
is LOW for this WRITE cycle to show t
and t
.
12. If
CE
goes HIGH simultaneously with
WE
HIGH, the output remains
in a high impedance state
13. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
transitioning address.
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 2 (
CE
CONTROLLED)
(10)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C1049-25L36I | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-25L36M | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-55FS36I | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C1049-25L36I | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-25L36M | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-25L36MB | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35FS36C | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35FS36I | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
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