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參數(shù)資料
| 型號： | P1P8160AG-10CR |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK GEN EMI MODULATOR 8-SOIC |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 類型： | * |
| PLL： | 帶旁路 |
| 輸入： | LVCMOS，晶體 |
| 輸出： | LVCMOS |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 比率 - 輸入:輸出： | 1:2 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 無/無 |
| 頻率 - 最大： | 27MHz |
| 除法器/乘法器： | 無/無 |
| 電源電壓： | 2.97 V ~ 3.63 V |
| 工作溫度： | -10°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 10-WFDFN 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝： | 10-WDFN（3x3） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
P1P8160A
http://onsemi.com
3
Table 2. FREQUENCY DEVIATION SELECTION TABLE
SS2% (Pin#3)
SS1% (Pin#7)
Deviation at 100 MHz (%) (Pin#5)
ModRate (kHz)
L
SSOFF
32
L
M
0.5
L
H
2.5
M
L
0.25
M
0.75
M
H
1
H
L
1.5
H
M
2
H
3
Table 3. OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
VDD
Voltage on any pin with respect to VSS
2.97
3.63
V
TA
Operating Temperature
10
+85
°C
CL
Load Capacitance
15
pF
CIN
Input Capacitance
7
pF
Table 4. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Rating
Unit
VDD, VIN
Voltage on any pin with respect to Ground
0.5 to +4.6
V
TSTG
Storage Temperature
65 to +125
°C
Ts
Max. Soldering Temperature (10 sec)
260
°C
TJ
Junction Temperature
150
°C
TDV
Static Discharge Voltage (As per JEDEC STD 22 A114B)
2
kV
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may
affect device reliability.
Table 5. DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VDD = 3.3 V ± 10%, Ambient Temperature Range: 10°C to +85°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VDD
Supply Voltage
2.97
3.3
3.63
V
VIL
Input Low Voltage (CLKIN/XIN, SS1%, SS2% Inputs)
0
0.2
V
VIM
Input Middle Voltage (SS1%, SS2% Inputs)
0.4 x VDD
0.6 x VDD
V
VIH
Input High Voltage (CLKIN/XIN, SS1%, SS2% Inputs)
0.9 x VDD
VDD
V
VOL
Output Low Voltage (ModOUT, RefOUT)
IOL = 15 mA
0.4
V
VOH
Output High Voltage (ModOUT, RefOUT)
IOH = 15 mA
2.4
V
IDD
Dynamic Supply Current (CL = 15 pF, VDD = 3.63 V, T = +85°C)
22
mA
CIN1
Input Capacitance (XIN and XOUT)
6.0
pF
CIN2
Input Capacitance (SS1%, SS2% Inputs)
7.0
pF
RPD
Pull Down Resistor (SS1%, SS2% Inputs)
100
200
250
kW
NOTE: The voltage on any input or I/O pin cannot exceed the power pin during power up.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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