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參數(shù)資料
| 型號： | P1100EA |
| 英文描述： | 20LD 20MHZ 2K FLASH, 0C to +70C, 20-SSOP 208mil, T/R |
| 中文描述： | SIDAC的| 130V五（公報）最大| 800mA的我（縣）|對92VAR |
| 文件頁數(shù)： | 71/161頁 |
| 文件大?。?/td> | 986K |
| 代理商： | P1100EA |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁當前第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁
SIDACtor
Data Book
Triac Protection
Teccor Electronics
(972) 580-7777
3 - 31
R
Thyristors
Damage can occur to a thyristor if the thyristor
’
s repetitive peak off-state voltage is
exceeded. A thyristor
’
s repetitive peak off-state voltage may be exceeded due to dirty
AC power mains, inductive spikes, motor latch up, etc.
Thyristor Reference Circuit
Figures 3-33 & 3-34 show two different methods of protecting a triac. In Figure 3-33, a
SIDACtor is connected from MT2 to the gate of the triac. When the voltage applied to
the triac exceeds the SIDACtor
’
s V
DRM
, the SIDACtor turns on, producing a gate
current which turns the triac on.
The circuit in Figure 3-34 places a SIDACtor across MT2 and MT1 of the triac. In this
instance the SIDACtor protects the triac by turning on and shunting the transient
before it exceeds the V
DRM
rating of the triac.
Regardless of the method chosen, when using a SIDACtor to protect a thyristor, the
following design considerations must be followed:
Figure 3-33 TRIAC Protection
Figure 3-34 TRIAC Protection
V
DRM
of the SIDACtor < V
DRM
of Triac
SIDACtor V
DRM
> 120% V
PK(power supply)
SIDACtor must be placed behind the load
MT2
Triac
To
Gating
Circuitry
Hot
Neutral
MT1
SIDACtor
Load
MT2
Triac
To
Gating
Circuitry
Hot
Neutral
MT1
SIDACtor
Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P1100EARP1 | 20LD 20MHZ 2K FLASH, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, T/R |
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| P1100EBRP1 | MCU CMOS 18LD 2K FLASH, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
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參數(shù)描述 |
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| P1100EAL | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1100EALAP | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1100EALRP1 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1100EALRP2 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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