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PMWD18UN

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • PMWD18UN
    PMWD18UN

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PMWD18UN
    PMWD18UN

    PMWD18UN

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9800

  • PHI

  • TSSOP-8

  • 18+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝現(xiàn)貨

  • PMWD18UN,118
    PMWD18UN,118

    PMWD18UN,118

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • PHILIPS

  • SOP-8

  • 0850+

  • -

  • 進(jìn)口原裝假一賠十價格可談

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N TSSOP-8
PMWD18UN 技術(shù)參數(shù)
  • PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD15UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18.5 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV90EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:132pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV75UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P
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