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配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PMXB350UPEZ
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1215
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PMXB350UPEZ
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
NEXPERIA
con
24+
-
場(chǎng)效應(yīng)管

PMXB350UPEZ
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
367594
NEXPERIA
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

PMXB350UPEZ
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367594
NEXPERIA
con
24+
-

PMXB350UPEZ
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
NEXPERIA
con
24+
-
場(chǎng)效應(yīng)管

PMXB350UPEZ
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367594
NEXPERIA
con
24+
-

PMXB350UPEZ
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5232
Nexperia
SMD
22+
-
授權(quán)分銷商，可追溯原廠可含稅

PMXB350UPEZ
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
DFN1010D-3
18+
-
MOSFET P-CH 20V 1.2A...

PMXB350UPEZ
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
150000
NEXPERIA/安世
SOT1215
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

PMXB350UPEZ
深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
SOT1215
19+
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

PMXB350UPEZ
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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PMXB350UPEZ 技術(shù)參數(shù)

PMXB350UPE 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.2A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:116pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），5.68W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:447 毫歐 @ 1.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB120EPE 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:309pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.4A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD30UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD20XN,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 4.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:740pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315