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PH3-76.2-25.4-0.21-1A

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  • PH3-76.2-25.4-0.21-1A
    PH3-76.2-25.4-0.21-1A

    PH3-76.2-25.4-0.21-1A

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品假一罰十 電話010-62104...

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  • 1
PH3-76.2-25.4-0.21-1A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • t-Global Technology
  • 功能描述
  • PH3 76.2X25.4X0.21MM
PH3-76.2-25.4-0.21-1A 技術(shù)參數(shù)
  • PH3-76.2-19.1-0.21-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長度:3.000"(76.20mm) 寬度:0.750"(19.05mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.008"(0.21mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3-76.2-12.7-0.21-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長度:3.000"(76.20mm) 寬度:0.500"(12.70mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.008"(0.21mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3-50.8-12.7-0.21-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長度:2.000"(50.80mm) 寬度:0.500"(12.70mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.008"(0.21mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3-300-300-0.21-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:膠合劑 形狀:方形 長度:11.811"(300mm) 寬度:11.811"(300.00mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.008"(0.21mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3230S,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):42nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3N-76.2-12.7-0.062-1A PH3N-76.2-12.7-0.07-1A PH3N-76.2-19.1-0.062-1A PH3N-76.2-19.1-0.07-1A PH3N-76.2-25.4-0.062-1A PH3N-76.2-25.4-0.07-1A PH4 PH4025L,115 PH4030AL,115 PH4200G PH4201G PH4301I PH4304H PH4330L,115 PH4400E PH4400G PH4401E PH4401G
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