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參數(shù)資料
| 型號： | OP805 |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | CAN-4.7 |
| 中文描述： | 光電晶體管|叩|為875nm峰值波長|的CAN - 4.7 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | OP805 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP80GP | IC CMOS OPERATIONSVERSTAERKER |
| OP830SL | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 930NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.8 |
| OP830 | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| OP841 | 2K, 256 X 8 1.8V SERIAL EE, -40C to +85C, 8-DFN, T/R |
| OP842 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | CAN-4.7 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OP805SL | 功能描述:光電晶體管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP805TX | 功能描述:光電晶體管 TO-18, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP805TXV | 功能描述:光電晶體管 TO-18, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP80G | 制造商:Analog Devices 功能描述:80G |
| OP80GP | 制造商:Analog Devices 功能描述:IC OP AMP CMOS U-LOW BIAS DIP8 |
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