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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | OP798 |
| 廠(chǎng)商： | Optek Technology |
| 英文描述： | NPN Pho to tran sis tor with Base- Emitter Resistor |
| 中文描述： | npn型河粉的轉(zhuǎn)錄矽統(tǒng)Tor和基地發(fā)射極電阻 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | OP798 |
Types OP793, OP798 Series
Op tek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op tek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car roll ton, Texas 75006 (972) 323- 2200 Fax (972) 323- 2396
Elec tri cal Char ac ter s tics
(T
A
= 25
o
C un less oth er wise noted)
SYM BOL
PA RAME TER
MIN
TYP MAX UNITS
TEST CON DI TIONS
I
C(ON)
On-State Collector Current
OP793A
OP793B
OP793C
OP793D
2.45
1.65
0.90
0.90
7.50
4.55
3.05
7.50
mA
V
CE
= 5 V, E
e
= 1.7 mW/cm
2(3)
I
C(ON)
On-State Collector Current
OP798A
OP798B
OP798C
OP798D
4.90
3.30
1.90
1.90
15.0
9.20
6.10
15.0
mA
V
CE
= 5 V, E
e
= 1.7 mW/cm
2(3)
E
KP
Knee Point Irradiance
OP793
OP798
.10
.04
mW/cm
2
V
CE
= 5 V
(4)
I
CEO
Collector-Emitter Dark Current
100
nA
V
CE
= 10 V, E
e
= 0
I
ECO
Emitter-Reverse Current
100
μ
A
V
CE
= 0.4 V
V
(BR)ECO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30
V
I
C
= 100
μ
A
I
C
=
0
.4
mA, E
e
= 1.7 mW/cm
2(3)
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP800 | NPN Silicon Phototransistors |
| OP910W | PIN Silicon Photodiode |
| OP910 | PIN SILICON PHOTODIODE |
| OPA1202 | Solid State Switches |
| OPA1205 | Solid State Switches |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OP798A | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP798B | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP798C | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP798D | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP-80 | 制造商:SK Kohki 功能描述: |
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