參數資料
| 型號： | OP747ARZ-REEL7 |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數： | 11/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 700KHZ 14SOIC |
| 標準包裝： | 1,000 |
| 放大器類型： | 通用 |
| 電路數： | 4 |
| 輸出類型： | 滿擺幅 |
| 轉換速率： | 0.2 V/µs |
| 增益帶寬積： | 700kHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 5nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 30µV |
| 電流 - 電源： | 320µA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 30mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 2.7 V ~ 30 V，±1.35 V ~ 15 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 14-SOIC |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
REV.
OP777/OP727/OP747
–4–
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1, 2
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –VS – 5 V to +VS + 5 V
Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . .
± Supply Voltage
Output Short-Circuit Duration to GND . . . . . . . . . Indefinite
Storage Temperature Range
RM, R, RU Packages . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°C to +150°C
Operating Temperature Range
OP777/OP727/OP747 . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°C to +85°C
Junction Temperature Range
RM, R, RU Packages . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°C to +150°C
Lead Temperature Range (Soldering, 60 sec) . . . . . . . 300
°C
Electrostatic Discharge (Human Body Model) . . . . 2000 V max
Package Type
JA
3
JC
Unit
8-Lead MSOP (RM)
190
44
°C/W
8-Lead SOIC (R)
158
43
°C/W
8-Lead TSSOP (RU)
240
43
°C/W
14-Lead SOIC (R)
120
36
°C/W
14-Lead TSSOP (RU)
180
35
°C/W
NOTES
1Absolute maximum ratings apply at 25
°C, unless otherwise noted.
2Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. This is a stress rating only; functional operation of the
device at these or any other conditions above those listed in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
3
θ
JA is specified for worst-case conditions, i.e.,
θ
JA is specified for device soldered in
circuit board for surface-mount packages.
CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although
the OP777/OP727/OP747 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may
occur on devices subjected to high-energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD8052AR | IC OPAMP VF R-R DUAL LDIST 8SOIC |
| RC0805FR-071M47L | RES 1.47M OHM 1/8W 1% 0805 SMD |
| PEC31DAHN | CONN HEADER .100 DUAL STR 62POS |
| 929715-03-09-I | CONN HEADER .100 DUAL STR 18POS |
| 94654-104HLF | BERGSTIK II DR STRAIGHT RET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP750A | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP750B | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP750C | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP750D | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP755A | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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