參數(shù)資料
型號: OP747ARUZ-REEL
廠商: Analog Devices Inc
文件頁數(shù): 11/16頁
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP GP R-R 700KHZ 14TSSOP
標準包裝: 2,500
放大器類型: 通用
電路數(shù): 4
輸出類型: 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率: 0.2 V/µs
增益帶寬積: 700kHz
電流 - 輸入偏壓: 5nA
電壓 - 輸入偏移: 30µV
電流 - 電源: 320µA
電流 - 輸出 / 通道: 30mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 2.7 V ~ 30 V,±1.35 V ~ 15 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝: 14-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)
REV.
OP777/OP727/OP747
–4–
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1, 2
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –VS – 5 V to +VS + 5 V
Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . .
± Supply Voltage
Output Short-Circuit Duration to GND . . . . . . . . . Indefinite
Storage Temperature Range
RM, R, RU Packages . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°C to +150°C
Operating Temperature Range
OP777/OP727/OP747 . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°C to +85°C
Junction Temperature Range
RM, R, RU Packages . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°C to +150°C
Lead Temperature Range (Soldering, 60 sec) . . . . . . . 300
°C
Electrostatic Discharge (Human Body Model) . . . . 2000 V max
Package Type
JA
3
JC
Unit
8-Lead MSOP (RM)
190
44
°C/W
8-Lead SOIC (R)
158
43
°C/W
8-Lead TSSOP (RU)
240
43
°C/W
14-Lead SOIC (R)
120
36
°C/W
14-Lead TSSOP (RU)
180
35
°C/W
NOTES
1Absolute maximum ratings apply at 25
°C, unless otherwise noted.
2Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. This is a stress rating only; functional operation of the
device at these or any other conditions above those listed in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
3
θ
JA is specified for worst-case conditions, i.e.,
θ
JA is specified for device soldered in
circuit board for surface-mount packages.
CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although
the OP777/OP727/OP747 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may
occur on devices subjected to high-energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
D
相關PDF資料
PDF描述
PEC34DBCN CONN HEADER .100 DUAL R/A 68POS
9R9834-01-03-RK CONN HEADER 3POS .100" STR TIN
961104-6700-AR-TP CONN HEADER VERT 4POS GOLD SMD
961210-6804-AR CONN HEADER VERT DUAL 10POS GOLD
TR2/1025FA15-R FUSE 15A 60V FAST UL CSA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
OP747ARZ 功能描述:IC OPAMP GP R-R 700KHZ 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 放大器類型:通用 電路數(shù):4 輸出類型:- 轉(zhuǎn)換速率:0.6 V/µs 增益帶寬積:1MHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:45nA 電壓 - 輸入偏移:2000µV 電流 - 電源:1.4mA 電流 - 輸出 / 通道:40mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:14-TSSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:LM324ADTBR2G-NDLM324ADTBR2GOSTR
OP747ARZ-REEL 功能描述:IC OPAMP GP R-R 700KHZ 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:1 系列:- 放大器類型:通用 電路數(shù):4 輸出類型:滿擺幅 轉(zhuǎn)換速率:0.028 V/µs 增益帶寬積:105kHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:3nA 電壓 - 輸入偏移:100µV 電流 - 電源:3.3µA 電流 - 輸出 / 通道:12mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):2.7 V ~ 12 V,±1.35 V ~ 6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:14-TSSOP 包裝:剪切帶 (CT) 其它名稱:OP481GRUZ-REELCT
OP747ARZ-REEL7 功能描述:IC OPAMP GP R-R 700KHZ 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:50 系列:- 放大器類型:J-FET 電路數(shù):2 輸出類型:- 轉(zhuǎn)換速率:3.5 V/µs 增益帶寬積:1MHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:30pA 電壓 - 輸入偏移:2000µV 電流 - 電源:200µA 電流 - 輸出 / 通道:- 電壓 - 電源,單路/雙路(±):7 V ~ 36 V,±3.5 V ~ 18 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件
OP750A 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
OP750B 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1