參數(shù)資料
型號(hào)： OP555
廠商： Optek Technology
英文描述： NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 222K
代理商： OP555
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OP555A NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶體管，寬接收角，集電極最小電流2.55mA ,可替代K5550)
OP555B NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶體管，寬接收角，集電極最小電流1.30mA,可替代K5550)
OP555C NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶體管，寬接收角，集電極最小電流0.25mA,可替代K5550)
OP555D NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶體管，寬接收角，集電極最小電流0.25mA,可替代K5550)
OP560A INDUCTOR, 100UH, 1.2A, 0.28 OHM DCR, SMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
OP555A 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
OP555B 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
OP555C 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
OP555D 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
OP556/T,005 功能描述:MOSFET OP556/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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