參數(shù)資料
型號(hào)： NZT6714
廠商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： NZT6714
TN6714A
/
NZT6714
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P3
1
10
100
1000
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
B
E(ON
)
125 C
- 40 C
25 °C
C
V
= 5V
CE
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P3
0.01
0.1
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
B
ESA
T
C
ββ = 10
125 C
- 40 C
25 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
CT
O
R
CUR
RE
N
T
(
n
A
)
A
V
= 20V
CB
CBO
Safe Operating Area TO-226
P3
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V
- COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
I
-
CO
L
E
CT
O
R
CU
RRE
NT
(A)
CE
C
*PULSED
OPERATION
T
= 25 °C
A
LIMIT DETERMINED
BY BV CEO
DC T
= 2
5 °C
CO
LLE
CT
OR L
EAD
DC T
= 2
5 °C
AM
BIEN
T
100
S*
10
S*
1.
0 m
s*
Collector-Base Capacitance
vs Collector-Base Voltage
Pr 37
0
4
8
1216
2024
28
0
10
20
30
40
V
- COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)
C
-
CO
L
E
CT
O
R
-B
A
S
E
C
A
P
A
C
IT
A
NCE
(p
F
)
CB
OB
O
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
1
10
100
1000
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
G
A
IN
BAND
W
ID
T
H
P
R
O
D
U
C
T
(M
H
z)
C
FE
V
= 10V
CE
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PDF描述
O54GDC162.8C-149Y DIGITAL TEMP SENSOR-DUAL TRIP POINT
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NZT6715 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6715_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6717 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6717_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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