參數(shù)資料
型號(hào)： NUP8028MN
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Array
中文描述： 低電容瞬態(tài)電壓抑制器陣列
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
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代理商： NUP8028MN
NUP8028MN
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Parameter
Symbol
Value
Unit
ESD Discharge IEC6100042
Air Discharge
Contact Discharge
V
PP
15
8.0
kV
Peak Power Dissipation (8 x 20 S @ T
A
= 25
°
C)
P
(Note 1)
20
W
Operating Temperature Range
T
OP
40 to 85
°
C
Storage Temperature Range
T
STG
55 to 150
°
C
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes (1.8 in from case for 10 seconds)
T
L
260
°
C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Nonrepetitive current per Figure 4.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Maximum Reverse Working Voltage
V
RWM
3.0
V
Breakdown Voltage
V
BR
I
R
= 1.0 mA
5.3
5.6
5.9
V
Leakage Current
I
R
V
RWM
= 3.3 V
0.01
1.0
A
Clamping Voltage
V
c
I
PP
= 1.6 A
13
V
Capacitance
C
d
f = 1 MHz, V
R
= 0 V
13
17
pF
Capacitance
C
d
f = 1 MHz, V
R
= 3.0 V
7.0
11.5
pF
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PDF描述
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