參數(shù)資料
型號(hào)： NUP5120X6T2G
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： 5−Line Transient Voltage Suppressor Array
中文描述： 90 W, UNIDIRECTIONAL, 5 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
封裝： LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： NUP5120X6T2G
NUP5120X6
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Working Voltage
(Note 2)
V
RWM
5.0
V
Breakdown Voltage
I
T
= 1 mA, (Note 3)
V
BR
6.2
6.8
7.2
V
Reverse Leakage Current
V
RWM
= 3 V
I
R
0.01
0.5
A
Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz (Line to GND)
V
R
= 2.5 V, f = 1 MHz (Line to GND)
C
J
54
70
pF
2. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
3. V
BR
is measured at pulse test current I
T
.
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