參數(shù)資料
型號： NUP4304M6_06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines
中文描述： 低電容二極管陣列，在4條數(shù)據(jù)線路ESD保護(hù)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NUP4304M6_06
NUP4304MR6
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance JunctiontoAmbient
R
JA
556
°
C/W
Lead Solder Temperature
Maximum 10 Seconds Duration
T
L
260
°
C
Junction Temperature
T
J
40 to +85
°
C
Storage Temperature
T
stg
55 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted) (Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (I
(BR)
= 100 A)
V
(BR)
70
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 70 Vdc)
(V
R
= 25 Vdc, T
J
= 150
°
C)
(V
R
= 70 Vdc, T
J
= 150
°
C)
I
R
2.5
30
50
Adc
Capacitance (between I/O pins)
(V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz)
C
D
0.8
1.5
pF
Capacitance (between I/O pin and ground)
(V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz)
C
D
1.6
3
pF
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mAdc)
(I
F
= 10 mAdc)
(I
F
= 50 mAdc)
(I
F
= 150 mAdc)
V
F
715
855
1000
1250
mV
dc
1. FR5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
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PDF描述
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NUP45V6P5_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Low Capacitance Quad Array for ESD Protection
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