參數(shù)資料
型號: NTS2101PT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 1/5頁
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描述: MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SOT-323, SOT-416
標準包裝: 10
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 1A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 8V
功率 - 最大: 290mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70,SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-3(SOT323)
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: NTS2101PT1GOSDKR