| 型號: | NTMS4P01R2 |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | Power MOSFET -4.5 Amps, -12 Volts P-Channel Enhancement Mode Single SO-8 Package(-4.5A, -12 V,單P通道,增強模式,SO-8封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述: | 3400 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝: | CASE 751-07, SO-8 |
| 文件頁數: | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商: | NTMS4P01R2 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2 | Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts P-Channel Enhancement Mode Single SO-8 Package(-5.4A, -20 V,單P通道,增強模式,SO-8封裝的功率MOSFET) |
| NTMSD2P102LR2 | Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package(雙通道,SO-8封裝的功率MOSFET與肖特基二極管) |
| NTMSD3P102R2 | P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package(雙P通道,增強模式,SO-8封裝的功率MOSFET與肖特基二極管) |
| NTMSD3P303R2 | P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package(雙P通道,增強模式,SO-8封裝的功率MOSFET與肖特基二極管) |
| NTMSD6N303R2 | Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts(6A,30V 的功率MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NTMS4P01R2/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET -4.5 Amps, -12 Volts |
| NTMS5835NL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N CH W DIO 40V 9.2A 8SO 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, N CH, W DIO, 40V, 9.2A, 8SO |
| NTMS5835NLR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8-S 40V 10mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTMS5838NL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N CH W DIO 40V 5.8A 8SO 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, N CH, W DIO, 40V, 5.8A, 8SO |
| NTMS5838NLR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8-S 40V 25mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |