| 型號(hào)： |
NTLJD3119CTAG |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN |
| 產(chǎn)品變化通告： |
1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
2.6A，2.3A
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
65 毫歐 @ 3.8A，4.5V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
3.7nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
271pF @ 10V
|
| 功率 - 最大： |
710mW
|
| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
6-WDFN 裸露焊盤(pán)
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-WDFN（2x2）
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
NTLJD3119CTAGOSDKR
|