參數(shù)資料
型號: NTJD2152PT1G
廠商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 14/Apr/2010
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SOT-363 Pkg
標準包裝: 10
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 775mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 570mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 225pF @ 8V
功率 - 最大: 270mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設(shè)備封裝: SOT-363
包裝: 標準包裝
其它名稱: NTJD2152PT1GOSDKR