| 型號(hào)： |
NTGS5120PT1G |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.8A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
111 毫歐 @ 2.9A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
3V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
18.1nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
942pF @ 30V
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| 功率 - 最大： |
600mW
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
SC-74，SOT-457
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-TSOP
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
NTGS5120PT1GOSDKR
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