參數(shù)資料
型號(hào)： NTE6129
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Power Rectifier Diode, 700 Amp
中文描述： 硅功率整流二極管，700安培
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 21K
代理商： NTE6129
Electrical Specifications (Cont’d):
Parameter
Symbol
Test Conditions
Rating
Unit
Maximum I
2
t for Fusing
I
2
t
t = 10ms
Rated V
RRM
reapplied, initial
T
J
= +150
°
C
306
A
2
s
t = 8.3ms
279
A
2
s
t = 10ms
No voltage reapplied, initial
T
J
= +150
°
C
432
A
2
s
t = 8.3ms
395
A
2
s
Maximum I
2
t
I
2
t
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
4320
A
2
t
Maximum Peak Forward Voltage
V
FM
T
J
= +150
°
C, I
pk
= 1500A, t
p
= 10ms
2.2
V
Recovery Characteristics:
Test Conditions
Max Values @ T
J
= +150
°
C
T
J
= +25
°
C
typical t
rr
@ 25% I
RRM
2.0
μ
s
I
pk
Square Pulse
di/dt
V
r
t
rr
@ 25% I
RRM
3.5
μ
s
Q
rr
T
rr
1000A
50A/
μ
a
–
50V
240
μ
C
110A
2.060
(52.32)
1.338
(33.98)
2.290 (58.16)
Dia Max
1.045 (26.54)
.040 (1.01)
.040 (1.01)
.140 (3.55) Dia x
.083 (2.1) Deep
(Both Sides)
1.338
(33.98)
Cathode
Marking
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PDF描述
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