參數(shù)資料
型號： NTE6086
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Dual Schottky Rectifier
中文描述： 硅雙肖特基整流器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 18K
代理商： NTE6086
NTE6086
Silicon Dual Schottky Rectifier
Description:
The NTE6086 is a silicon dual power rectifier in a TO220 type package designed using the Schottky
Barrier principle with a platinum barrier metal.
Features:
20 Amps Total (10 Amps Pre Diode Leg)
Guarding for Stress Protection
Low Forward Voltage
+150
°
C Operating Junction Temperature
Guaranteed Reverse Avalanche
Absolute Maximum Ratings (Per Diode Leg):
Peak Repetitive Reverse Voltage, V
RRM
Working Peak Reverse Voltage, V
RWM
DC Blocking Voltage, V
R
Average Rectified Forward Current (V
R
= 100V, T
C
= +133
°
C), I
F(AV)
Peak Repetitive Forward Current (V
R
= 100V, Square Wave, 20kHz, T
C
= +133
°
C), I
FRM
Non–Repetitive Peak Surge Current, I
FSM
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60Hz)
Peak Repetitive Reverse Current (2
μ
s, 1kHz), I
RRM
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Voltage Rate of Change (V
R
= 100V), dv/dt
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
100V
100V
100V
10A
20A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . .
150A
0.5A
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–65
°
to +150
°
C
–65
°
to +175
°
C
1000V/
μ
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2
°
C/W
60
°
C/W
Electrical Characteristics (Per Diode Leg):
(Note 1)
Parameter
Instantaneous Forward Voltage
Symbol
v
F
Test Conditions
i
F
= 10A, T
C
= +125
°
C
i
F
= 10A, T
C
= +25
°
C
i
F
= 20A, T
C
= +125
°
C
i
F
= 20A, T
C
= +25
°
C
V
R
= 100V, T
C
= +125
°
C
V
R
= 100V, T
C
= +25
°
C
Min
–
–
–
–
–
–
Typ
–
–
–
–
–
–
Max
0.70
0.80
0.85
0.95
150
0.15
Unit
V
V
V
V
mA
mA
Instantaneous Reverse Current
i
R
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
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PDF描述
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