參數(shù)資料
型號(hào)： NTE50
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-202
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 20K
代理商： NTE50
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0
100
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE = 100A, IC = 0
4
–
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 40V, IE = 0
–
100
nA
ON Characteristics (Note 1)
DC Current Gain
hFE
IC = 50mA, VCE = 1V
80
125
–
IC = 250mA, VCE = 1V
60
100
–
IC = 500mA, VCE = 1V
–
55
–
Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC = 250mA, IB = 10mA
–
0.18
0.4
V
IC = 250mA, IB = 25mA
–
0.1
–
V
Base–Emitter ON Voltage
VBE(on)
IC = 250mA, VCE = 5V
–
0.74
1.2
V
Small–Signal Characteristics
Current Gain–Bandwidth Product
fT
IC = 250mA, VCE = 5V,
f = 100MHz, Note 1
50
150
–
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB = 10V, IE = 0, f = 100kHz
–
6
12
pF
Note 1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300s, Duty Cycle ≤ 2%.
.070 (1.78) x 45
°
Chamf
.132 (3.35) Dia
.050 (1.27)
.325
(9.52)
.180 (4.57)
.380 (9.56)
.500
(12.7)
1.200
(30.48)
Ref
.300
(7.62)
.400
(10.16)
Min
.100 (2.54)
C
EB
C
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PDF描述
NTM3904 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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