參數(shù)資料
型號(hào)： NTE36
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier, High Current Switch
中文描述： 自動(dòng)對(duì)焦輔助硅晶體管功放，高電流開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 23K
代理商： NTE36
NTE36 (NPN) & NTE37 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
AF Power Amplifier, High Current Switch
Description:
The NTE36 (NPN) and NTE37 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3P type case de-
signed for AF power amplifier and high current switching applications.
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
140V
160V
6V
12A
15A
100W
+150
°
C
–40
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cutoff Current
I
CEO
V
CB
= 80V, I
E
= 0
–
–
0.1
mA
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
BE
= 4V, I
C
= 0
–
–
0.1
mA
DC Current Gain
h
FE1
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
60
–
200
h
FE2
V
CE
= 5V, I
C
= 6A
20
–
–
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
–
15
–
MHz
Output Capacitance
NTE36
NTE37
C
ob
V
CB
= 10V, f = 1MHz
–
–
210
300
–
–
pF
Base–Emitter Voltage
V
BE
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
–
–
1.5
V
Collector–Emitter Saturation Voltage
NTE36
NTE37
V
CE(sat)
I
C
= 5A, I
B
= 500mA
–
–
0.6
1.1
2.5
–
V
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NTE363 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon NPN Transistor RF Power Amp, PO = 4W
NTE364 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 16V 2A 4-Pin
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