參數(shù)資料
型號： NTE295
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor RF Power Output, Driver
中文描述： 硅NPN晶體管射頻輸出功率，驅(qū)動(dòng)器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： NTE295
NTE295
Silicon NPN Transistor
RF Power Output, Driver
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage (R
BE
= 150
), V
CER
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
75V
75V
45V
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.0A
1.5A
750mW
5W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
μ
A
μ
A
V
Collector Cutoff Current
I
CBO
I
EBO
V
CB
= 40V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, R
BE
= 150
I
C
= 1mA, R
BE
=
∞
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 500mA
V
CE
= 10V, I
C
= 50mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CB
= 10V, f = 1MHz
V
CC
= 12V, f = 27MHz, P
i
= 35mW
–
–
1.0
Emitter Cutoff Current
–
–
1.0
Collector–Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
V
(BR)CER
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
h
FE
f
T
V
CE(sat)
V
BE(sat)
C
ob
P
O
η
75
–
–
Collector–Emitter Breakdown Voltage
75
–
–
V
45
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
5
–
–
V
DC Current Gain
60
–
320
Current Gain Bandwidth Product
180
250
–
Collector–Emitter Saturation Voltage
–
0.2
0.6
V
Base–Emitter Saturation Voltage
–
0.9
1.2
V
Output Capacitance
–
15
25
pF
Output Power
1.0
1.8
–
W
Collector Efficiency
60
–
–
%
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