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參數(shù)資料
| 型號： | NTE2953 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | NTE2953 |
NTE2501 (NPN) & NTE2502 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage for Video Output
Features:
High Breakdown Voltage
Excellent High Frequency Characteristics
Applications:
High Definition CRT Display
Color TV Chroma Output, High Breakdown Voltage Drivers
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation, P
C
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300V
300V
5V
100mA
200mA
1.5W
7W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
Test Conditions
V
CB
= 200V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 10mA
V
CE
= 30V, I
C
= 10mA
Min
–
–
100
–
Typ
–
–
–
70
Max
0.1
0.1
200
–
Unit
μ
A
μ
A
MHz
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