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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTE2513 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Complementary Transistors High Current Switch |
| 中文描述： | 硅晶體管互補(bǔ)大電流開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 22K |
| 代理商： | NTE2513 |
NTE2513 (NPN) & NTE2514 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Current Switch
Features:
Low Collector Emitter Saturation Voltage
High Gain–Bandwidth Product
Excellent Linearity of h
FE
Fast Switching Time
Applications:
Display Drivers
High Speed Inverters
Converters
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60V
50V
6V
8A
12A
1.2W
20W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Test Conditions
V
CB
= 40V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 500mA
V
CE
= 2V, I
C
= 6A
Min
–
–
140
35
Typ
–
–
–
–
Max
1.0
1.0
240
–
Unit
μ
A
μ
A
Gain–Bandwidth Product
NTE2513
NTE2514
f
T
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
–
–
180
130
–
–
MHz
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE2515 | Silicon Complementary Transistors High Current Switch |
| NTE2517 | Silicon Complementary Transistors High Current Switch |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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