參數(shù)資料
型號(hào)： NTE123
廠商： NTE Electronics, Inc.
元件分類： 音頻放大器
英文描述： Silicon NPN Transistor General Purpose Audio Amplifier, Switch
中文描述： 硅NPN晶體管通用音頻放大器，開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 26K
代理商： NTE123
NTE123
Silicon NPN Transistor
General Purpose Audio Amplifier, Switch
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Continuous Collector Current, I
C
Total Device Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
40V
75V
6V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
800mA
800mW
5.33mW/
°
C
3.0W
20mW/
°
C
–65
°
to +200
°
C
–65
°
to +200
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
I
C
= 10mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
40
–
–
V
Collector–Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
75
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
6
–
–
V
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CE
= 60V, I
E
= 0
V
CE
= 60V, I
E
= 0, T
A
= +150
°
C
–
–
0.01
μ
A
–
–
10
μ
A
I
CEX
V
CE
= 60V, V
EB(off)
= 3V
–
–
10
nA
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
EB
= 3V, I
C
= 0
–
–
10
nA
Base Cuttoff Current
I
BL
V
CE
= 60V, V
EB(off)
= 3V
–
–
20
nA
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PDF描述
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