| 型號(hào)： | NTD6600N-1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
| 產(chǎn)品變化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 12A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 146 毫歐 @ 6A，5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | I-Pak |
| 包裝： | 管件 |