參數(shù)資料
型號(hào): NTD5862NT4G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 8/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 90A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.7 毫歐 @ 45A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V
功率 - 最大: 115W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: DPAK-3
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: NTD5862NT4G-ND
NTD5862NT4GOSTR