參數(shù)資料
型號: NTB5605PT4G
廠商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 140 毫歐 @ 8.5A,5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 25V
功率 - 最大: 88W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: D2PAK
包裝: 標準包裝
其它名稱: NTB5605PT4GOSDKR